初始电荷转移很快，不证明最后一批载流子也同样快地离开。漂移响应电场，扩散响应载流子浓度梯度；转移过程中电势与载流子数量会演变，使限制剩余信号的贡献改变。[P1]
初始信号会改变自身环境
PPD 综述讨论大初始信号下的自致漂移。载流子离开储荷阱后，分布与局部驱动条件改变，因此不能把初始转移速率不加变化地外推到几乎空的阱。[P1]
综述还区分小结构中较强边缘场的辅助，以及较大、相对平坦电势阱中的末段扩散限制。这是条件性情形，不是通用尺寸规则，也不给本 Flow 指定时间。
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 P-Pinning Ion Implantation 的工艺作用
阅读转移段，区分电场驱动的初始转移与弱场剩余载流子情形。
与「为什么电荷转移会从漂移转向扩散」相关的流程位置：40nm BSI CMOS Image Sensor · PD · Step 99
方向有利不等于旅程完成
允许载流子向 FD 移动的工作电势，是推理转移的必要条件，却不指定每个剩余载流子多快到达。弱场、局部势垒与几何可改变末段过程；路径宽度变化也会影响静电，不能只按距离解释几何。[P1]
这里与掺杂扩散不同：移动对象是工作期间的信号载流子，而非制造热处理期间重新分布的杂质原子。
条件与反例
观察到较短的主体转移区间，可以同时存在缓慢剩余尾部；场辅助末段则可能降低扩散限制模型的重要性。不能因为各像素都有转移栅，就给它们强加同一机制。
结构图定位节点，工作电势模型和残余电荷证据才涉及输运。这些证据需要结合，而不是互换。
阅读工作交接
在钉扎目标工位辨认储荷阱与转移连接，解释为何初始与剩余转移可能需要不同推理。各举一个场辅助和弱场情形，并说明条件。
本任务关注单次转移内部的输运限制；另一篇滞后—溢出文章则区分不同的不需要电荷历史。
参考来源
A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors
E. Fossum, Donald B. Hondongwa · IEEE Journal of the Electron Devices Society