薄膜均匀性关注某个规定区域内，薄膜性质怎样变化；台阶覆盖关注局部结构的不同表面，例如顶部、侧壁和底部，怎样获得沉积。晶圆上的均匀性良好，不能证明狭窄开口内部也覆盖良好。[T1]
先说明观察尺度
在开放区域采样的厚度图，可以描述这些位置之间的横向差异，却可能无法说明沟槽内部隐藏表面的状态。反过来，一个截面里的沟槽覆盖良好，也不能证明晶圆所有区域都获得相同薄膜。
均匀性还需要指明被比较的性质：厚度、组成和电学行为都可能变化，其中一项一致，不代表其它项也一致。只说“薄膜很均匀”，却不说明性质和采样区域，是不完整的表达。
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查看三维栅空腔中的介质沉积，理解各表面覆盖的要求。
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覆盖取决于可达性与表面响应
材料需要先到达表面，再发生所需生长反应。局部几何改变到达条件，表面化学影响生长在哪里开始、怎样继续。因此，顶部覆盖良好时，底部仍可能偏薄或不连续。
自限制生长有助于共形性，但没有消除输运限制。针对高深宽比结构的 ALD 建模研究，就明确讨论了输运与表面反应不能实现完全共形覆盖的情况。这里引用的是这一适用边界，不是对所有 ALD 工艺作统一结论。[P3]
| 观察结果 | 支持的结论 | 不能直接延伸出的结论 |
|---|---|---|
| 多个开放区域厚度相近 | 已采样位置均匀性良好 | 沟槽底部覆盖完整 |
| 一处结构的顶部、侧壁、底部覆盖相近 | 该局部结构具有共形覆盖 | 所有晶圆区域都均匀 |
| 沉积后看不到剩余空腔 | 观察到的空腔被填充 | 每层界面膜都连续 |
| 膜厚相近 | 被测位置几何相似 | 组成与电学质量相同 |
覆盖与填充还要再分开
共形覆盖沿原有起伏生长，不一定消除空腔。相对表面的膜逐渐靠近时，剩余通路可能收窄。最终能否填满，取决于整个生长演化，不能只看初始覆盖是否共形。[T1]
所以，衬垫可以完成界面任务，而不承担主体填充。反过来，只检查有没有填满，也可能漏掉孔底衬垫不连续的问题。同一结构内不同材料的任务并不相同。
一个双尺度练习
设想各个开放区域的厚度测量都一致，但截面显示底部膜更薄。说明采样尺度后，矛盾就消失了：开放区域横向均匀性良好，局部覆盖仍不完整。
再设想相反情况：一个位置的结构具有共形膜，其它位置的开放区域厚度却变化明显。局部结论仍成立，但不能延伸成全片均匀。保留这两项独立描述，比只凭一张图给整套沉积贴上“好”或“坏”的标签更准确。
原始资料链接
参考来源
Silicon VLSI Technology - Full
James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin
Silicon VLSI Technology · ISBN 978-0130850379
Modeling Incomplete Conformality during Atomic Layer Deposition in High Aspect Ratio Structures
Luiz Felipe Aguinsky, Frâncio Rodrigues, Tobias Reiter, Xaver Klemenschits, Lado Filipovic, Andreas Hössinger et al. · arXiv