图像滞后与溢出：残余电荷与过量电荷

图像滞后可以涉及预期转移后仍留下、并在后续观察中出现的信号电荷；溢出则涉及储荷过满后逃逸或扩散的过量电荷。两者都与电荷历史有关，却是不同失效，需要不同证据。[P1]

先问电荷何时变成不需要的电荷

转移相关滞后的问题是输送不完整：上一份信号在应该离开后仍有一部分留下。转移栅处的电势过渡、接收 FD 状态和可用转移时间都重要；栅画对了，不证明每个载流子都通过。[P1]

溢出的问题开始于产生电荷超过实际储荷容量。过量载流子沿周围电势分布移动；一个 CMOS PPD 示例中，它们可以优先向 FD 与复位路径移动，但邻近像素仍可能受到影响。这是依赖架构的解释。[P1]

修好一种不证明另一种通过

能够有效排空储荷阱的路径，不一定具有容纳更强曝光的容量；良好溢出路径也不一定消除被俘获或未完成转移的旧信号。不能把两种问题合成一句“电荷管理通过”。

表面钉扎有助于建立边界，但其它工作电势和局部缺陷仍重要。制造顺序不是曝光与读出时的电荷运动顺序。

条件与反例

残留图像还可以来自其它位置的俘获，并非只有 PPD 转移不完全；明亮空间伪影也不能唯一确定溢出。需要照明历史、后续观察和结构敏感证据区分解释。

同样，有复位漏区不保证所有过量电荷都在影响邻居前到达它。画出预期路径是工作假设，不是限制电荷的实测结果。

在同一工位解释两段历史

辨认储荷阱及转移边界，分别讲述预期信号留下与新增信号超过储荷能力的历史。每种情况都指出电荷何时变得不需要，以及还需什么观察支持解释。

本任务区分残余与过量电荷，不指定曝光、脉冲或注入条件。

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