有效满阱容量不只由光电二极管的物理体积决定。储荷阱必须保留信号，电荷必须完成转移，FD 与读出链还必须容纳结果。增加其中一项容量，可能只是显现另一处瓶颈。[P1]
两个节点，两种容量问题
光电二极管储荷阱在读出前保留载流子，其电势边界和电容影响可保留电荷。FD 接收转移电荷并产生电压变化；允许电压摆幅有限时，它的接收容量也有限。[P1]
综述指出，在读出链本身不构成限制时，储荷阱与 FD 较小的容量可限制满阱。这是条件性关系，不是给目标 Flow 指定一个数值。
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 P-Pinning Ion Implantation 的工艺作用
辨认埋置储荷阱及电势边界，解释为何容量本身不证明完整转移。
与「满阱容量可以受光电二极管或浮置扩散节点限制」相关的流程位置：40nm BSI CMOS Image Sensor · PD · Step 99
增加储荷可能让转移更困难
改变储荷区掺杂可以增大容量，也会改变空阱电势。转移栅与 FD 的电势仍必须支持转移。因此，名义储荷容量更大，不保证可完整读出的信号更大。[P1]
同样，在给定电压范围内提高 FD 容量，会减小每个载流子引起的电压变化，输入折算的读出不确定性也可能改变。容量和灵敏度需要共同解释，而非认为电容增加总是改善。
名义容量并非无限保持
电势阱不是有绝对杯沿的刚性容器。载流子逃逸、扩散及保持时间影响实际保留电荷，照明与工作条件也可能重要。几何图不能认证名义容量与有效容量一致。[P1]
这也排除了一个误导推论：图中的光电二极管更大，并不证明接收节点或读出电压范围随之增大。
在目标工位对中定位瓶颈
在钉扎工位辨认储荷区和边界，在 FD 工位辨认接收电容与电荷—电压职责，再说明还需哪些证据才能确定谁限制有效满阱。
现有 PD—TG—FD 文建立功能交接，本篇回答的是另一问题：交接中的哪一环限制最大有效电荷，以及为何只改一个节点不能解决整体限制。
参考来源
A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors
E. Fossum, Donald B. Hondongwa · IEEE Journal of the Electron Devices Society