光子可以进入硅并被吸收，却没有让所产生的载流子成为有效读出信号。反射、吸收、载流子存活和收集属于转换链的不同环节，改善一环不能自动认证其它环节。[P1]
吸收在某个位置产生载流子
光吸收取决于波长与材料，决定载流子在哪里产生，却不证明它们到达目标储荷区。钉扎光电二极管综述给出一个历史蓝光响应损失示例：光在高掺杂表层被吸收后，载流子可能在有效分离前复合。这是机制示例，不是对本 Flow 的诊断。[P1]
产生之后，载流子与电场、缺陷和周围边界相互作用；在收集前复合的载流子，即使来自已发生的吸收，也不会贡献预期储存信号。
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 P-Pinning Ion Implantation 的工艺作用
辨认钉扎管理的表面边界，解释它与储荷区的关系为何不同于光吸收。
与「光子被吸收，不自动等于信号被收集」相关的流程位置：40nm BSI CMOS Image Sensor · PD · Step 99
收集有自己的边界条件
钉扎管理表面界面与埋置储荷区之间的关系，可减少表面相关不需要的产生，并改变电势边界。这不同于让更多光进入硅。光学入口改善，不证明电学收集边界已修复。[P1]
同样，低反射观察只涉及一个光学损耗通道，不确定已吸收信号有多少存活并通过像素后续环节。
条件与反例
表面处理可以改善收集而反射近似不变；光学涂层可以改善入射，而缺陷界面仍造成载流子损失。这些概念例说明，一项测量不能认证整条链。
比较需要说明波长与工作条件。几何层图不测量量子效率，也不能确定光谱变化的根因。
追踪一个未被收集的载流子
阅读钉扎工位，辨认所管理的表面边界，再解释从吸收到收集前复合的一条可能路径。分别说明哪些证据针对光学入射，哪些针对电学收集。
本任务在已有节点分工和光学层文章之外区分产生与成功信号输送，不提供像素配方，也不承诺每个吸收光子都对应一个测得载流子。
参考来源
A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors
E. Fossum, Donald B. Hondongwa · IEEE Journal of the Electron Devices Society