通孔优先与沟槽优先，描述双镶嵌空腔的准备顺序。两条路线都要在共同金属填充之前，形成金属线沟槽与通孔相连的空间。真正重要的区别，是下一轮图形化接收到什么中间表面，而不只是图中哪个形状先出现。[P1]
相同终态，不同中间状态
在通孔优先的示意路线里，通孔开口先于沟槽完成。后续沟槽图形化需要面对已经存在的孔。具体集成中可能利用临时填充或保护层，管理孔带来的形貌和表面暴露。
在沟槽优先的示意路线里，先有沟槽，再完成通孔。后续通孔图形化和刻蚀需要在沟槽已经存在的条件下工作，沟槽底面与侧壁也成为需要保护的环境。
实际路线可能包含部分刻蚀、硬掩膜或预先保存的图形。因此，“优先”必须结合真正的步骤理解：掩膜图形可能已经记录，但对应空腔尚未完全刻出。[P1]
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 V1M2 Etch 的工艺作用
查看M2模块在金属填充前形成的通孔与沟槽组合空腔。
与「通孔优先与沟槽优先：追踪哪些表面先暴露」相关的流程位置：28nm Planar Flow · M2 · Step 218
比较工序交接
| 交接问题 | 通孔优先示意 | 沟槽优先示意 |
|---|---|---|
| 已经形成什么？ | 通孔开口或部分转移的孔图形 | 沟槽开口或已转移的槽图形 |
| 下一步面对什么？ | 孔相关的形貌与暴露表面 | 槽相关的形貌与暴露表面 |
| 哪些条件要保留？ | 通孔可达性及预期落点界面 | 沟槽几何及通孔形成通路 |
| 共同终态要求 | 连续相通的空腔 | 连续相通的空腔 |
这张表说明依赖关系，不代表所有路线都需要同一种临时膜或相同的停止层组合。
除了形状，还要追踪残留
空腔看起来相连，并不意味着内部没有妨碍电连接的材料。因此，临时保护需要看两次：使用时保护什么，移除后又把什么状态交给下一步。
相反，“全部更强地去掉”也不是通用解法。打开预期落点，同时保留周围介质与已形成结构，属于有选择性的材料去除问题。必须分清达到目标界面和破坏定义该界面的结构。[T1]
一个顺序阅读示例
假设图里先出现空通孔，接着有材料占据孔内，再形成沟槽。不能据此判断通孔已经变成最终金属导体。孔中的材料可能承担临时图形化任务，需要结合其身份和后续移除动作判断。
再看相反顺序：沟槽已经存在，通孔还没有连接下层导体。沟槽完整并不能证明孔底已经打开。此时应追问通孔形成过程中槽底发生了什么变化，以及哪些表面需要继续受到保护。
这两个例子说明，相同终态可以对应不同的清理与界面交接要求，也说明不能只凭简化流程图中方框的数量给路线排名。
原始资料链接
参考来源
Silicon VLSI Technology - Full
James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin
Silicon VLSI Technology · ISBN 978-0130850379
Overview of dual damascene integration schemes in Cu BEOL integration
J. Kriz, C. Angelkort, M. Czekalla, S. Huth, D. Meinhold, A. Pohl et al.