沉积作者

沉积速率:定义与适用边界

沉积速率描述指定条件下单位时间的膜厚增长。它是有用指标,但单靠速率不能判断密度、成分、共形性或填隙。结果取决于沉积方法、化学、表面、几何和热史。所链接流程标出沉积位置,没有报告实测速率。

沉积速率在流程中的作用位置

免费 40nm 流程总览包括 PMD 沉积、SiO 硬掩模沉积及 ILD 氧化物填隙。名称说明集成职责,不能推出速率或限速区间。

截面 1:沉积背景;未测量速率
1. 沉积背景;未测量速率
截面 2:沉积背景;未测量速率
2. 沉积背景;未测量速率
截面 3:沉积背景;未测量速率
3. 沉积背景;未测量速率

薄膜沉积图没有速率量测,也未标明沉积方法。

Process checkpoint · 工艺坐标

40nmF_DTIStep 12
工艺截面示意图 · 40nm BSI CMOS Image Sensor · 步骤 12

理解 SiO Hard Mask deposition 的工艺作用

查看硬掩模沉积工位;流程未报告生长速率。

与「沉积速率:定义与适用边界」相关的流程位置:40nm BSI CMOS Image Sensor · F_DTI · Step 12

  1. 1. SiO Hard Mask deposition
  2. 2. PMD 1 - Deposition
查看这一步的工艺作用账户访问范围在步骤页确认

物理与机制

薄膜生长可能受反应物或源材料输送、表面反应及副产物排出影响 [T1]。哪一过程限速随方法和条件改变。测得速率还取决于膜厚采样的位置与方法。对自限制循环沉积,应区分每周期增长量、周期时长与连续过程的单位时间增长。

工艺原则

比较速率须说明相同材料、方法、几何、量测位置和厚度定义。在某一工艺中,提高速率可能改变覆盖或膜性质,但方向与幅度须实测。吞吐量还受搬运、稳定、清洗等非生长时间影响。

失效模式

片内或特征之间的差异会使单一平均速率失真。满足膜厚目标的工艺仍可能在覆盖或成分上失效。较慢工艺也不天然更致密或更共形,须另行量测。

从原理到生产流程

实际流程中,各膜的速率和质量须一起核验。40nm 流程总览显示沉积发生的位置,没有发布速率设定或限速机制。不同家族见化学气相沉积、物理气相沉积及原子层沉积。

节点演进

更复杂形貌和更紧膜层要求,使局部覆盖与均匀性量测在平均速率之外更重要。一般趋势不等于每一后续节点都应选择更慢或更快的沉积。

相关工艺

速率是沉积的一个描述量;厚度、成分与覆盖是不同输出。

参考来源

[T1] 教科书2000

Silicon VLSI Technology - Full

James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin

Silicon VLSI Technology · ISBN 978-0130850379

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常见问题

什么是沉积速率?
指定条件下单位时间的膜厚增长,应说明量测位置与方法。
哪些因素可能限制沉积速率?
输运、表面反应或其他步骤都可能限速,取决于沉积方法和条件。
高沉积速率一定产生差膜吗?
不一定。膜质与覆盖还取决于化学和几何等条件,单靠速率无法判断。

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