Process map · 流程地图
7nm流程地图流程概览
Ru 作为线路导体
**Ru 作为候选导体：**所引实验将双镶嵌互连图形化并以 Ru 填充，检验的是 Ru 作为线路材料，而非铜填充线路中的衬层 [P1]。
在该实验中，Ru 线电阻高于铜对照；通孔和可靠性结果仍支持继续研究。作者提出在更小尺寸下探索 Ru，但没有证明普适交叉点，也没有证明所有生产流程都已采用 [P1]。
电阻以外的集成问题
有效互连需要连续的线和通孔电流路径，并在填充与平坦化后保持合适的界面。Ru 实验测量了其特定结构的电学和可靠性结果，不能据此推导本站 Flow 的制造顺序 [P1]。
准确使用现役流程
本站的 7nm FinFET Flow 概览公开展示模块地图，其中包括 Metal 1，可作为现役铜后段互连的参照。底层 Flow 包含阻挡层/种子层、铜填充、退火和平坦化 Step，但详细内容依账户权限开放。该 Flow 没有钌的专属 Step。先在公开概览定位模块，再按可用权限把上面的 Ru 导体证据同现役铜序列比较。概览不是钌沉积或钌量产应用的演示。相关概念可继续阅读后段工艺、氮化钽和化学机械平坦化。
参考来源
[P1] 论文2016
Ruthenium interconnect resistivity and reliability at 48 nm pitch
Xunyuan Zhang, Huai Huang, R. Patlolla, W. Wang, F. Mont, Juntao Li et al. · 2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC)