清洁化学保留了某项测得的低 k 性质，不认证薄膜没有机械损伤。残留去除、化学改变与机械失效具有不同终点；合理验收声明应写明实际评价了哪一项。[P1]
三个问题共享一个界面
先问不需要的材料是否被去除，再问保留介质是否发生化学或电学变化，最后问所涉作用力能否损伤结构。问题相互关联，却不能用一个答案包含其它答案。
所引低 k 清洁研究把去除行为与介质、机械因素共同讨论，并提出有利于去除的作用力和可能损伤低 k 的作用力之间的窗口。这是特定研究框架，不是给目标 Flow 指定力限制。[P1]
Process map · 流程地图
该步骤收录于 7nm FinFET 课程内
辨认残留去除目的与需保留的介质，将预期保留与实测化学或机械安全分开。
真实步骤命名、逐层截面与原理讲解收录于 7nm FinFET 课程内，按账户权限解锁。
兼容性取决于测了什么性质
介电常数保持可以是有利观察，但裂纹、脱层与几何仍是另外的问题。反过来，结构可以机械完整，而化学或电学响应已经改变。把任一种情况简单叫“无损”都会丢失信息。
若清洁方法包含机械作用，膜强度和施加作用力就重要；化学蚀刻后清洁工位的名称，却不证明引用研究中的机械操作存在。应有条件地使用机制，而非赋予未提供的设备行为。
条件与反例
残留完全去除时，可以同时发生不希望的衬底变化；清洁不完全时，结构也可能仍机械完整。因此，预期选择性不能代替测得的保留结果。
研究不证明所有低 k 膜具有相同强度，也不证明所有清洁剂相互作用相同。孔隙、界面和起始损伤会改变状态，材料标签不能给出通用安全配方。
阅读保留材料的承诺
在蚀刻后清洁处辨认残留与应保留的介质，将完成声明重写为分别的去除和保留声明。只有操作存在相关作用力时，才加入机械条件。
本学习任务是分清保留目的与已达成证据，并让化学与机械验收分别成立。
参考来源
Challenges and novel approaches for photo resist removal and post-etch residue removal for 22 nm interconnects
P. Mertens, T-G. Kim, M. Claes, Q. Le, G. Vereecke, E. Kesters et al. · 2009 IEEE International Interconnect Technology Conference