生长硅氧化层会在硅—氧化物边界消耗硅；剥除氧化层移走反应产物，却不会把已消耗的硅原子放回原来的晶格位置。因此，循环后裸露的硅表面可以位于与起始表面不同的边界。[T1]
追踪材料，而非只数可见层数
氧化过程中，硅成为氧化物网络的一部分。氧化物与被消耗硅的体积不同，外侧氧化物表面和内部硅边界的移动也不同。剥膜后看不见氧化层，不证明两条边界均回到起点。[T1]
沉积氧化物是一个有用对照。沉积把来自前驱体的材料送到已有表面；热生长则把衬底硅转成氧化物。实际沉积也可能引起界面反应，但不能因此把两者视为相同的材料收支。
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 Sacrificial Oxidation 的工艺作用
解释哪些衬底材料被转成牺牲氧化物，以及为何沉积覆盖层属于不同操作。
与「为什么生长再剥除氧化层不能恢复原硅表面」相关的流程位置：40nm BSI CMOS Image Sensor · DGOX · Step 69
牺牲循环为什么有用
牺牲氧化—剥膜顺序的目的是在形成正式介质前调节表面。转化并移除部分近表面材料，可以服务于这一目的。但改善需要条件，不能据此断言全部注入损伤与污染都位于被移走的区域。
最终栅介质在后面形成。去除牺牲氧化物并非把它变成最终栅氧，也没有免除对新界面的评价。
条件与反例
若缺陷延伸到消耗区下方，剥膜不能证明它们完全消失。氧化生长期间还可能发生掺杂热再分布；表面观察良好不能证明下方浓度分布未变。
反过来，观察到边界移动也不能单独证明界面质量变差。几何、污染、粗糙度与电活性缺陷是不同结果。应分别解释，不能把“裸露”当作“与原来一样”或“完美”。
将两个工位读成材料历史
在牺牲氧化处辨认被消耗的硅，在剥膜处辨认离开结构的氧化物，再用文字描绘初始硅边界、生长氧化物后移动的内部边界，以及剥膜后的硅表面。
当学习者能解释“牺牲氧化物剩余为零”为什么不等于“衬底净变化为零”，任务才完成。这一推理不需要厚度比、蚀刻配方或保证完全恢复的声明。
参考来源
Silicon VLSI Technology - Full
James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin
Silicon VLSI Technology · ISBN 978-0130850379