等效氧化层厚度（EOT）：把电学厚度和物理厚度分开看

等效氧化层厚度（EOT）把栅介质的电容表示为：要得到相同单位面积电容，一层理想 SiO₂ 需要有多厚。对单层理想均匀薄膜，$EOT = t_{film}(\kappa_{SiO2}/\kappa_{film})$。实际栅堆叠可以有多层介质；把单层公式直接套给整叠膜，可能低估 EOT。理想串联电容模型中，每层介质各贡献一项：$EOT_{stack} = \sum_i t_i(\kappa_{SiO2}/\kappa_i)$。电学测量、界面和非理想效应决定真实器件与这个简化模型的接近程度 [P1]。

界面层为何重要

高介电常数薄膜在理想电容相近时，物理上可以比 SiO₂ 厚。较大的物理厚度可能降低某些直接隧穿路径，但 EOT 本身不能保证低漏电或可靠性：势垒性质、缺陷和界面也起作用。较低介电常数的薄界面层与高 k 层串联，同样贡献总 EOT。因此只改高 k 薄膜的效果，可能小于单层公式暗示的数值。

双层理想化模型

两层理想化模型为 $EOT_{stack} = t_{IL}(\kappa_{SiO2}/\kappa_{IL}) + t_{high-k}(\kappa_{SiO2}/\kappa_{high-k})$。它是电容记账关系，不是目标膜厚或沉积配方。讨论高 k 金属栅膜栈时，必须同时评估界面质量与电容。计算得到更小的 EOT，也不能单独证明阈值电压、迁移率或寿命已改善。

决定 EOT 的栅介质堆叠

28nm 平面流程概览通向薄栅氧化、氮化、高 k 沉积与金属栅等具名栅模块步骤。学习路线沿用这些步骤已有的访问权限。可用它们识别哪些介质层进入电容模型；金属电极会影响栅行为，但在理想 EOT 求和中不是另一项介质厚度。步骤名称和图示不提供实测 EOT，也不证明界面质量。

使用数值前的条件

先说明数值是理想估算还是由电学数据提取、包含哪些介质层，以及是否考虑界面或寄生效应。二氧化铪介绍一种高 k 材料，栅氧化说明 SiO₂ 基线；任一种材料自身都不能指定完整栅堆叠。需要较短的术语定义，可对照 EOT 术语页；本文重点解释串联堆叠及其边界。